Si3N4陶瓷的烧结及其显微结构
来源期刊：硬质合金2007年第2期
论文作者：尚福亮 高玲 韩海涛
关键词：氮化硅; 烧结; 显微结构;
摘 要：本文主要研究了Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷的常压烧结及其显微结构.MgO和CeO2的组合是Si3N4陶瓷的有效烧结助剂.常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,最佳成分为Si3N4+5%MgO+5%CeO2,在1800℃保温60min烧结后,其最大相对密度为98.5%,抗弯强度为950MPa.利用XRD、TEM和EDAX分析,确定了烧结Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷中玻璃相的主要成分为铈硅酸盐,几乎不含MgO.
尚福亮1，高玲2，韩海涛1
(1.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,430070;
2.深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,518060)
摘要:本文主要研究了Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷的常压烧结及其显微结构.MgO和CeO2的组合是Si3N4陶瓷的有效烧结助剂.常压烧结Si3N4-MgO-CeO2陶瓷,最佳成分为Si3N4+5%MgO+5%CeO2,在1800℃保温60min烧结后,其最大相对密度为98.5%,抗弯强度为950MPa.利用XRD、TEM和EDAX分析,确定了烧结Si3N4-MgO-CeO2系陶瓷中玻璃相的主要成分为铈硅酸盐,几乎不含MgO.
关键词:氮化硅; 烧结; 显微结构;
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