白光LED用新型Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料的光谱性能研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2012年第8期

论文作者：华伟 向卫东 董永军 梁晓娟 杨帆 金怀东 梁续 吕春燕

文章页码：1371 - 1375

关键词：荧光材料;Ce:YAG单晶;共掺杂;光谱;白光LED;

摘    要：开展了白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究,采用提拉法生长Eu,Ce:YAG及Gd,Ce:YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征。结果表明,Eu或Gd共掺杂的Ce:YAG单晶荧光材料均可以被波长460nm左右的蓝光芯片有效激发,产生一个范围为480～650nm的宽峰发射。Eu3+或Gd3+共掺杂会对Ce3+离子的发光产生影响:Eu3+离子的掺杂,会对Ce3+离子的发光产生淬灭效应;而Gd3+离子取代基质Y3+离子可以使Ce3+离子的发射峰发生红移。