VLS机制生长SiC晶须研究
来源期刊：材料导报2010年第S1期
论文作者：陈一峰 刘兴钊 邓新武
文章页码：89 - 90
关键词：SiC;化学气相沉积;晶须;
摘 要：采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。
陈一峰，刘兴钊，邓新武
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
摘 要：采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。
关键词：SiC;化学气相沉积;晶须;
