聚硅氧烷封孔处理对Cf/SiC复合材料抗氧化性能的影响
来源期刊:航空材料学报2004年第6期
论文作者:陈朝辉 马青松 王松 索相波
关键词:抗氧化; 聚硅氧烷; 陶瓷先驱体; 封孔处理; Cf/SiC复合材料;
摘 要:以室温粘度低的液态聚硅氧烷为原料,采用真空-加压浸渍交联工艺对Cf/SiC复合材料进行了封孔处理.研究了封孔效果及封孔处理对Cf/SiC复合材料短时间抗氧化性能的影响.结果表明,聚硅氧烷能够有效封填材料中微孔,提高Cf/SiC复合材料的致密度,同时明显提高Cf/SiC复合材料的短时间抗氧化性能.经封孔处理的Cf/SiC复合材料在1500℃空气中氧化10min后,材料强度保留率由处理前的67%提高到了95%,质量保留率由处理前的91.9%提高到99.1%.聚硅氧烷在裂解过程中会消耗氧以及裂解产物SiO2在高温下的流动能愈合孔隙,从而阻碍O2向材料内部扩散是抗氧化性能得以提高的原因.
陈朝辉1,马青松1,王松1,索相波1
(1.国防科技大学,新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073)
摘要:以室温粘度低的液态聚硅氧烷为原料,采用真空-加压浸渍交联工艺对Cf/SiC复合材料进行了封孔处理.研究了封孔效果及封孔处理对Cf/SiC复合材料短时间抗氧化性能的影响.结果表明,聚硅氧烷能够有效封填材料中微孔,提高Cf/SiC复合材料的致密度,同时明显提高Cf/SiC复合材料的短时间抗氧化性能.经封孔处理的Cf/SiC复合材料在1500℃空气中氧化10min后,材料强度保留率由处理前的67%提高到了95%,质量保留率由处理前的91.9%提高到99.1%.聚硅氧烷在裂解过程中会消耗氧以及裂解产物SiO2在高温下的流动能愈合孔隙,从而阻碍O2向材料内部扩散是抗氧化性能得以提高的原因.
关键词:抗氧化; 聚硅氧烷; 陶瓷先驱体; 封孔处理; Cf/SiC复合材料;
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