基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第6期
论文作者：史辰 陈建新 谢万波 杨维明 吴楠
关键词：锗硅合金; 异质结晶体管; 高阻衬底; SiGe alloy; HBT; High resistivity substrate;
摘 要：介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.
史辰1，陈建新1，谢万波1，杨维明1，吴楠1
(1.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022)
摘要:介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.
关键词:锗硅合金; 异质结晶体管; 高阻衬底; SiGe alloy; HBT; High resistivity substrate;
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