BaTiO3/Si界面扩散与控制方法研究
来源期刊：功能材料2005年第12期
论文作者：朱俊 李金隆 张鹰 罗文博 艾万勇 李言荣
关键词：界面扩散; 钛酸钡; 硅; 俄歇电子能谱; X光电子能谱;
摘 要：利用激光分子束外延(LMBE)方法在Si(100)基片上直接生长BaTiO3(BTO)铁电薄膜.通过俄歇电子能谱(AES),X光电子能谱(XPS)等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象.根据研究得到的BTO/Si界面扩散规律,采用一种新型的"温度梯度调制生长方法"减小、抑制BTO/Si界面互扩散行为,实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长,为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础.
朱俊1，李金隆1，张鹰1，罗文博1，艾万勇1，李言荣1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:利用激光分子束外延(LMBE)方法在Si(100)基片上直接生长BaTiO3(BTO)铁电薄膜.通过俄歇电子能谱(AES),X光电子能谱(XPS)等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象.根据研究得到的BTO/Si界面扩散规律,采用一种新型的"温度梯度调制生长方法"减小、抑制BTO/Si界面互扩散行为,实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长,为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础.
关键词:界面扩散; 钛酸钡; 硅; 俄歇电子能谱; X光电子能谱;
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