碳热还原合成碳化硅温度场及压力场的数值模拟

来源期刊：材料导报2015年第S1期

论文作者：宁瑞东 杜双明 李阳

文章页码：90 - 189

关键词：SiC;温度场;压力场;数值模拟;

摘    要：通过对碳热还原合成SiC温度场与压力场的数值模拟,研究了冶炼炉内的温度、压力随合成时间的变化规律。研究结果表明,随着合成时间的延长,热量向外传递,高温等温面逐渐向外扩展,适合生成SiC的温区面积逐渐增大,过长的合成时间增加能耗,SiC分解加剧,产率降低。与单热源炉相比,平行三热源炉内压力分布比较均匀,炉内平均压力维持在140~200kPa之间,从而利于SiC合成反应的顺利进行,同时避免了喷炉事故。单热源炉在装料时底部反应配料中注意粒度级配,加入少许木屑,以增加气孔率,有利于压力释放。