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Ar离子轰击高定向石墨表面结构变化的X射线光电子能谱分析

来源期刊：新型炭材料2007年第4期

论文作者：杨培志刘黎明黄宗坦

关键词：表面分析; Ar离子轰击; 高定向裂解石墨; X射线光电子能谱;

摘要：用X射线光电子能谱(XPS)研究了3.0 keV Ar离子轰击高定向裂解石墨(HOPG)引起的表面结构的变化.通过对C1s、C KLL及C2s谱峰形状的定性和定量分析,表明Ar离子轰击将破坏共价π键并导致表面局域sp2杂化C键向sp3杂化C键转化.sp3/sp2之比依赖于离子轰击时间.

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杨培志¹，刘黎明¹，黄宗坦¹

(1.昆明物理研究所,云南,昆明,650223)

摘要:用X射线光电子能谱(XPS)研究了3.0 keV Ar离子轰击高定向裂解石墨(HOPG)引起的表面结构的变化.通过对C1s、C KLL及C2s谱峰形状的定性和定量分析,表明Ar离子轰击将破坏共价π键并导致表面局域sp2杂化C键向sp3杂化C键转化.sp3/sp2之比依赖于离子轰击时间.

关键词:表面分析; Ar离子轰击; 高定向裂解石墨; X射线光电子能谱;

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