N-β-氨乙基-γ-氨丙基聚二甲基聚二苯基硅氧烷的膜形貌及其XPS分析
来源期刊：高分子材料科学与工程2008年第2期
论文作者：李明涛 王前进 安秋凤
关键词：氨基硅; 聚二苯基硅氧烷; 原子力显微术; 膜形貌; 疏水性硅膜;
摘 要：利用八甲基环四硅氧烷D4与氨基硅烷以及二苯基二甲氧基硅烷等的聚合反应,合成了一种N-β-氨乙基-γ-氨丙基聚二甲基聚二苯基硅氧烷(PASO),用原子力显微镜AFM、光电子能谱XPS等仪器研究了PASO的成膜形态、表面相组成及膜的表面性能.结果表明,在单晶硅表面,PASO可形成略显粗糙的疏水性硅膜,在其表面有纤细尖峰存在.因此,在观察标尺为3 nm、扫描范围为2 μm×2 μm的条件下,PASO膜表面的均方根粗糙度达到了0.228 nm.
李明涛1，王前进1，安秋凤1
(1.陕西科技大学化学与化工学院,陕西,咸阳,712081)
摘要:利用八甲基环四硅氧烷D4与氨基硅烷以及二苯基二甲氧基硅烷等的聚合反应,合成了一种N-β-氨乙基-γ-氨丙基聚二甲基聚二苯基硅氧烷(PASO),用原子力显微镜AFM、光电子能谱XPS等仪器研究了PASO的成膜形态、表面相组成及膜的表面性能.结果表明,在单晶硅表面,PASO可形成略显粗糙的疏水性硅膜,在其表面有纤细尖峰存在.因此,在观察标尺为3 nm、扫描范围为2 μm×2 μm的条件下,PASO膜表面的均方根粗糙度达到了0.228 nm.
关键词:氨基硅; 聚二苯基硅氧烷; 原子力显微术; 膜形貌; 疏水性硅膜;
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