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Si/Si1－ xGex HEMT结构设计的研究

来源期刊：功能材料与器件学报2001年第2期

论文作者：赵祖军胡英徐毓龙周晓华

关键词：Si/Si1－xGexHEMT; 半导体异质结; 晶格匹配; 能带阶跃; 结构设计; 二维电子气密度;

摘要：从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。

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赵祖军¹，胡英¹，徐毓龙¹，周晓华¹

(1.西安电子科技大学技术物理学院 ,)

摘要:从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。

关键词:Si/Si1－xGexHEMT; 半导体异质结; 晶格匹配; 能带阶跃; 结构设计; 二维电子气密度;

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