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HEMT小信号等效电路参数提取

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第1期

论文作者：李洪芹夏冠群王德斌程知群孙晓玮

关键词：HEMT; 参数提取; 小信号等效电路;

摘要：本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法.采用这些方法,提取了HEMT器件32-39GHz八个频率点的S参数值.实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性.

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李洪芹¹，夏冠群¹，王德斌²，程知群¹，孙晓玮¹

(1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050;
2.上海交通大学29系,上海200030)

摘要:本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法.采用这些方法,提取了HEMT器件32-39GHz八个频率点的S参数值.实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性.

关键词:HEMT; 参数提取; 小信号等效电路;

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