低电压驱动微流控芯片二氧化硅绝缘薄膜的研究
来源期刊:功能材料2012年第9期
论文作者:吕宏峰 闫卫平 李杰超
文章页码:1204 - 2417
关键词:二氧化硅;绝缘薄膜;低电压驱动;微流控芯片;
摘 要:采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、台阶仪、X射线衍射仪(XRD),分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属(MIM)结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力>200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。
吕宏峰,闫卫平,李杰超
大连理工大学电子科学与技术学院
摘 要:采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、台阶仪、X射线衍射仪(XRD),分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属(MIM)结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力>200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。
关键词:二氧化硅;绝缘薄膜;低电压驱动;微流控芯片;