倾斜磁控溅射制备低阻高透ITO薄膜及其光电特性
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第6期
论文作者：赵海娇 王丛 石晓光 刁训刚
文章页码：600 - 604
关键词：ITO;透明导电膜;直流磁控溅射;室温沉积;靶材倾斜角度;
摘 要：利用直流磁控溅射方法,在Ar和O2的混合气氛中,采用陶瓷靶制备ITO薄膜;采用紫外-可见-红外分光光度计和四探针法研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果表明,当靶材角度在23-25°、O2流量在7-9sccm、溅射时间在60-90 min和溅射功率在100-120W时获得可见光透过率高于90%,方阻在10-20Ω/□之间的优质ITO薄膜。
赵海娇1，王丛2，石晓光1，刁训刚2
1. 长春理工大学理学院2. 北京航空航天大学理学院
摘 要：利用直流磁控溅射方法,在Ar和O2的混合气氛中,采用陶瓷靶制备ITO薄膜;采用紫外-可见-红外分光光度计和四探针法研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电特性的影响。实验结果表明,当靶材角度在23-25°、O2流量在7-9sccm、溅射时间在60-90 min和溅射功率在100-120W时获得可见光透过率高于90%,方阻在10-20Ω/□之间的优质ITO薄膜。
关键词：ITO;透明导电膜;直流磁控溅射;室温沉积;靶材倾斜角度;
