Si3N4/TiN复相陶瓷常温导电性研究
来源期刊:功能材料2010年第12期
论文作者:张淑会 康志强 吕庆 薛向欣 陈红建
文章页码:2206 - 2209
关键词:Si3N4/TiN;复相陶瓷;导电性能;放电加工;
摘 要:分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工。研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω.cm。烧结温度升高,材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加。
张淑会1,康志强2,吕庆1,薛向欣3,陈红建1
1. 河北理工大学冶金与能源学院河北省现代冶金技术重点实验室2. 河北理工大学资源与环境学院3. 东北大学材料与冶金学院
摘 要:分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工。研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω.cm。烧结温度升高,材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加。
关键词:Si3N4/TiN;复相陶瓷;导电性能;放电加工;