PLZST陶瓷衬底上La_0.7Sr_0.3MnO₃薄膜生长及其磁性能和电输运特性研究（英文）

肖玲¹，陈莹¹，刘振¹，王根水¹，温志渝²，董显林¹

1. 中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料与器件重点实验室2. 重庆大学微系统中心

摘 要：采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜,并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究。结果表明,LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构,晶粒均匀,表面平整,其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm。在10~300 K温度范围内,LSMO薄膜均具有大的磁电阻效应,20 nm厚的LSMO薄膜磁电阻温度稳定性优异。随着薄膜厚度的增加,薄膜的居里温度、金属绝缘体转变温度、磁化强度和导电性能降低。这可能是由于Pb、Sn、Zr等离子扩散进入LSMO薄膜中,导致MnO 6八面体畸变造成的。

关键词：LSMO薄膜;PLZST陶瓷;磁电阻;扩散;