溅射气压和衬底温度对Si_1-xGe_x薄膜结构和光吸收性能的影响

来源期刊：机械工程材料2012年第2期

论文作者：刘亚妮 余乐 李子全 刘劲松 曹安 蒋维娜 刘建宁

文章页码：32 - 36

关键词：Si1-xGex薄膜;溅射气压;衬底温度;光吸收强度;

摘    要：采用射频磁控溅射法沉积了Si1-xGex薄膜,研究了溅射气压、衬底温度对薄膜结构、厚度、表面形貌、表面成分及光吸收性能的影响。结果表明:薄膜均为微晶结构且相组成不随溅射气压和衬底温度的改变而改变;随着溅射气压升高,薄膜结晶性能降低,升高衬底温度使其结晶性能提高;随气压或温度的升高,薄膜厚度均先增大后减小,在1.0Pa或400℃达到最大值;随温度的升高,薄膜表面团簇现象消失并变得平整致密,气压为8.0Pa时,表面有孔洞和沟道;随气压升高,薄膜中锗含量降低,光吸收强度减小,光学带隙增大;衬底温度的变化对光学带隙影响不大。