氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜稳定性的研究进展
来源期刊：材料导报2007年第5期
论文作者：李世彬 蒋亚东 吴志明 匡跃军 廖乃镘 李伟
关键词：氢化非晶硅; 稳定性; 光致衰退效应; 物理模型; 稳定化处理;
摘 要：氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了先致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定性的方法.
李世彬1，蒋亚东1，吴志明1，匡跃军1，廖乃镘1，李伟1
(1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054)
摘要:氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了先致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定性的方法.
关键词:氢化非晶硅; 稳定性; 光致衰退效应; 物理模型; 稳定化处理;
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