无机EL显示器件用高性能介电层的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第2期
论文作者：林明通 陈国荣 杨云霞 肖田 徐毅 陈晨曦
关键词：无机EL; SrTiO3薄膜; Ta2O5薄膜; SrTiO3/Ta2O5复合膜;
摘 要：用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.
林明通1，陈国荣1，杨云霞1，肖田1，徐毅2，陈晨曦2
(1.华东理工大学材料科学与工程学院,上海200237;
2.上海广电电子股份有限公司,上海200081)
摘要:用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.
关键词:无机EL; SrTiO3薄膜; Ta2O5薄膜; SrTiO3/Ta2O5复合膜;
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