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在多工位炉上CeO2:Bi12SiO20单晶生长的研究(Ⅰ)--地面生长实验部分

来源期刊：无机材料学报2002年第2期

论文作者：朱骏雄周燕飞唐连安

关键词：掺铈硅酸铋(Ce:BSO); 晶体生长; 多工位炉;

摘要：Bi12SiO20是一种优质的光折变晶体.但在地面生长掺Ce:BSO晶体时遇到的主要问题是分凝系数远远＜1,导致晶体组分不均匀.本文采用在空间生长掺Ce:BSO晶体的多工位炉进行地面晶体生长,测试了CeO2浓度分布和掺Ce:BSO晶体的透过率,以便同空间生长掺Ce:BSO晶体进行比较.

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朱骏雄¹，周燕飞¹，唐连安¹

(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)

摘要:Bi12SiO20是一种优质的光折变晶体.但在地面生长掺Ce:BSO晶体时遇到的主要问题是分凝系数远远＜1,导致晶体组分不均匀.本文采用在空间生长掺Ce:BSO晶体的多工位炉进行地面晶体生长,测试了CeO2浓度分布和掺Ce:BSO晶体的透过率,以便同空间生长掺Ce:BSO晶体进行比较.

关键词:掺铈硅酸铋(Ce:BSO); 晶体生长; 多工位炉;

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