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高温热处理和不同基体炭对C/C多孔体熔融渗硅行为的影响

来源期刊:矿冶工程2003年第2期

论文作者:王林山 肖鹏 熊翔

关键词:高温热处理; CVD; 树脂浸渍; C/C多孔体; 熔融渗硅;

摘    要:以针刺整体毡为坯体,采用化学气相沉积(CVD)和树脂浸渍/炭化方法(IC)制成C/C多孔体,然后熔融渗硅(MSI)制备了C/C-SiC复合材料,研究了高温热处理(HTP)和不同基体炭对多孔体熔融渗硅行为的影响,并探讨了高温热处理树脂炭对SiC生成量的影响.研究表明:利用CVD→IC混合工艺制备的C/C多孔体,渗硅前高温热处理较炭化的更有利于液硅的渗入;高温热处理使得树脂炭的孔比表面积增加,从而反应生成SiC也多;与热解炭或最后热解炭增密的C/C多孔体相比,树脂炭或最后树脂炭增密的更有利于液硅的渗入.

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高温热处理和不同基体炭对C/C多孔体熔融渗硅行为的影响

王林山1,肖鹏1,熊翔1

(1.中南大学,粉末冶金国家重点实验室,湖南,长沙,410083)

摘要:以针刺整体毡为坯体,采用化学气相沉积(CVD)和树脂浸渍/炭化方法(IC)制成C/C多孔体,然后熔融渗硅(MSI)制备了C/C-SiC复合材料,研究了高温热处理(HTP)和不同基体炭对多孔体熔融渗硅行为的影响,并探讨了高温热处理树脂炭对SiC生成量的影响.研究表明:利用CVD→IC混合工艺制备的C/C多孔体,渗硅前高温热处理较炭化的更有利于液硅的渗入;高温热处理使得树脂炭的孔比表面积增加,从而反应生成SiC也多;与热解炭或最后热解炭增密的C/C多孔体相比,树脂炭或最后树脂炭增密的更有利于液硅的渗入.

关键词:高温热处理; CVD; 树脂浸渍; C/C多孔体; 熔融渗硅;

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