Hf/HfO₂基双极阻变存储器研究

来源期刊：功能材料与器件学报2014年第5期

论文作者：毕津顺 韩郑生

文章页码：101 - 106

关键词：二氧化铪;双极;阻变存储器;导电细丝;量子点接触模型;

摘    要：本文制备了纳米级的Hf/Hf O2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构。系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程。详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性。该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化。利用量子点接触模型对Hf/Hf O2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析。