原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展

来源期刊：材料导报2012年第17期

论文作者：何晓崐 左然 徐楠 于海群

文章页码：16 - 20

关键词：原子层外延;GaAs;表面化学反应;

摘    要：介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延（ALE）的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-（CH3）3在表面发生热解,最终Ga（CH3）x（x=1或2）在表面吸附,依靠Ga（CH3）x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga（CH3）3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止。还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响。