以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件
来源期刊：功能材料与器件学报2001年第4期
论文作者：蒋雪茵 赵伟明 刘祖刚 张志林 唐春玖 许少鸿 朱文清
关键词：陶瓷厚膜; 流延工艺; 低压驱动; 电致发光;
摘 要：使用 PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料 , 采用流延工艺成膜 , 丝网印刷内电极 , 低温烧结的方法制备了陶瓷衬底 . 陶瓷衬底的烧结温度为 930～ 9500C. 测量了陶瓷厚膜的基本特性 , 在室温时的相对介电常数ε r大于 14000, 损耗 tanδ约为 1% , 具有极高的品质因素 ( ≥ 80μ C/cm2) . 用 SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌 , 内电极连续 , 厚膜层致密且表面起伏较小 , 可直接沉积发光层 . 制备了陶瓷厚膜为绝缘层的 ZnS:Mn低压驱动电致发光器件 , 在 50Hz正弦波驱动下 , 阈值电压仅为 41V.
蒋雪茵1，赵伟明1，刘祖刚1，张志林1，唐春玖1，许少鸿1，朱文清1
(1.上海大学嘉定校区材料系,)
摘要:使用 PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料 , 采用流延工艺成膜 , 丝网印刷内电极 , 低温烧结的方法制备了陶瓷衬底 . 陶瓷衬底的烧结温度为 930～ 9500C. 测量了陶瓷厚膜的基本特性 , 在室温时的相对介电常数ε r大于 14000, 损耗 tanδ约为 1% , 具有极高的品质因素 ( ≥ 80μ C/cm2) . 用 SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌 , 内电极连续 , 厚膜层致密且表面起伏较小 , 可直接沉积发光层 . 制备了陶瓷厚膜为绝缘层的 ZnS:Mn低压驱动电致发光器件 , 在 50Hz正弦波驱动下 , 阈值电压仅为 41V.
关键词:陶瓷厚膜; 流延工艺; 低压驱动; 电致发光;
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