用热蒸发法制备CdS纳米带
来源期刊：材料科学与工程学报2005年第1期
论文作者：范新会 刘春霞 严文 刘建刚
关键词：物理热蒸发法; 外加电场; 硫化镉纳米带;
摘 要：在外加电场的作用下,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带.借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电镜(TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析.结果表明:当外加电场为400 V,蒸发温度为1150℃,环境压力为150 torr,气体流量为50 SCCM时,可制备出平均宽度为25μm,厚80nm,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带.
范新会1，刘春霞1，严文1，刘建刚1
(1.西安工业学院材料与化工学院,陕西,西安,710032)
摘要:在外加电场的作用下,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带.借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电镜(TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析.结果表明:当外加电场为400 V,蒸发温度为1150℃,环境压力为150 torr,气体流量为50 SCCM时,可制备出平均宽度为25μm,厚80nm,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带.
关键词:物理热蒸发法; 外加电场; 硫化镉纳米带;
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