简介概要

高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展

来源期刊：材料导报2010年第7期

论文作者：梁李敏王清周刘彩池解新建

关键词：GaN; 缺陷; 异质外延; 横向外延; 缓冲层; 柔性衬底; GaN; defect; heteroepitaxy; lateral epitaxial; buffer layer; flexible substrates;

摘要：概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.

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梁李敏¹，王清周¹，刘彩池¹，解新建¹

(1.河北工业大学材料学院,天津,300130)

摘要:概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.

关键词:GaN; 缺陷; 异质外延; 横向外延; 缓冲层; 柔性衬底; GaN; defect; heteroepitaxy; lateral epitaxial; buffer layer; flexible substrates;

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