p型ZnO薄膜研究进展
来源期刊：材料科学与工艺2006年第6期
论文作者：方国家 袁龙炎 盛苏
关键词：ZnO薄膜; p型掺杂; 同质p-n结;
摘 要：ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LEDs)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3 Ω·cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.
方国家1，袁龙炎1，盛苏1
(1.武汉大学,物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;
2.湖北师范学院,物理系,湖北,黄石,435002)
摘要:ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LEDs)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3 Ω·cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.
关键词:ZnO薄膜; p型掺杂; 同质p-n结;
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