氩等离子体处理增强TiO2∶Er/p+-Si异质结器件的电致发光
来源期刊:材料科学与工程学报2017年第4期
论文作者:高志飞 朱辰 马向阳 杨德仁
文章页码:524 - 1060
关键词:电致发光;硅基器件;TiO2∶Er薄膜;Ar等离子体处理;
摘 要:在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p+-Si)上掺Er的TiO2(TiO2∶Er)薄膜的TiO2∶Er/p+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO2∶Er/p+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO2∶Er/p+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。
高志飞,朱辰,马向阳,杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室
摘 要:在我们以前的工作[1]中,报道了基于重掺硼硅片(p+-Si)上掺Er的TiO2(TiO2∶Er)薄膜的TiO2∶Er/p+-Si异质结器件的电致发光。本文研究了TiO2∶Er薄膜的氩(Ar)等离子体处理对TiO2∶Er/p+-Si异质结器件电致发光的影响。研究发现:Ar等离子体处理使TiO2∶Er/p+-Si异质结器件与Er3+离子相关的可见和近红外电致发光都得到了显著的增强,同时也增强了与TiO2基体中氧空位相关的电致发光。这是由于Ar等离子体处理显著提高了TiO2∶Er薄膜中的氧空位浓度,不但增强了与氧空位相关的电致发光,而且增强了以氧空位为敏化中心的从TiO2基体向Er3+离子的能量传递,从而增强了Er3+离子的发光。
关键词:电致发光;硅基器件;TiO2∶Er薄膜;Ar等离子体处理;