Incoloy 800合金晶界工程工艺优化研究

来源期刊：上海金属2013年第1期

论文作者：李钧 苏诚 张磊 邵羽 肖学山 周志江

文章页码：16 - 20

关键词：Incoloy 800合金;晶界工程;低ΣCSL晶界;工艺;优化;

摘    要：运用电子背散射衍射(EBSD)和取向成像显微技术(OIM)研究了退火时间和冷轧变形量对Incoloy 800合金晶界特征分布的影响。结果显示,随着退火时间的延长,总的低ΣCSL(coincidence site lattice,Σ≤29)晶界比例在60%～70%范围内缓慢增长,Σ1晶界比例随Σ3晶界比例上升而下降。随着变形量的增加,总的低ΣCSL晶界、Σ3晶界、Σ9晶界和Σ27晶界比例均呈现先增加后降低的趋势,而Σ1晶界相反,出现先降低后增加的趋势。优化的Incoloy 800合金晶界工程工艺为:在980℃固溶处理15 min,冷轧5%后在980℃退火15 min。