Cu-Co共掺杂ZnO稀磁半导体的水热法制备与性能

魏智强^1,2，徐可亮²，张旭东²，武晓娟^1,2，王璇²，杨华^1,2，姜金龙²

1. 兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室2. 兰州理工大学理学院

摘 要：采用水热法了制备不同掺杂比例的Zn0.95Cu0.05-xCoxO（x=0,0.025,0.05）稀磁半导体材料。X射线衍射（XRD）表明所有样品具有结晶良好的纤锌矿结构,随着Co掺杂量的增加点阵常数有所增大。高分辨透射电子显微镜（HRTEM）发现所有样品形貌为纳米棒状结构,分散性良好。X射线能量色散分析仪（EDS）测试结果说明样品中Cu2+、Co2+是以替代的形式进入ZnO晶格中。光致发光光谱（PL）研究发现在所有样品中都存在较强的紫外发光峰、蓝光发光峰和绿光发光峰,而且峰位发生蓝移。振动样品磁强计（VSM）研究结果表明掺杂样品在室温条件下存在具有铁磁性。

关键词：共掺杂;ZnO基稀磁半导体;水热法;光致发光;铁磁性;