退火温度对磁控溅射SiC薄膜结构和光学性能的影响

来源期刊：理化检验物理分册2010年第12期

论文作者：都智 李合琴 聂竹华 储汉奇 朱景超

文章页码：753 - 756

关键词：SiC薄膜;射频磁控溅射;退火温度;结构;光致发光;

摘    要：首先采用射频磁控溅射法在单晶Si（100）衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄膜的结构随退火温度的变化,采用荧光分光分度计研究了薄膜的发光性能随退火温度的变化。结果表明:室温制备的SiC薄膜为非晶态,经600℃退火后薄膜结晶,且随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度越来越好,并且部分SiC结构发生了由α-SiC到β-SiC的转变;所制备的SiC薄膜在384和408 nm处有两个发光峰,且两峰的强度均随退火温度的升高逐渐变强,其中384nm处的峰源自于SiC的发光,408 nm处的峰源自于碳簇的发光。