微波烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料

胡盛青¹，万绍平¹，刘韵妍²，舒阳会¹，谭春林¹

1. 湖南航天高新材料与装备技术研发中心2. 湖南航天诚远精密机械有限公司

摘 要：选用W10与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,750℃微波烧结,制备出体积分数为70.28%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.239×10-6K-1;常温下热导率为160.42/W（m.K）-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为282N,弯曲位移为0.29mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料.

关键词：微波烧结;真空压力浸渗;SiCp/Al;