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在室温条件下制备高质量纳米结构TiN薄膜研究

来源期刊:无机材料学报2004年第6期

论文作者:张伟伟 徐建伟 刘伟民 闫鹏勋 吴志国 张玉娟

关键词:TiN; 磁过滤等离子体; 纳米薄膜;

摘    要:在室温条件下,利用磁过滤等离子体在单晶硅和不锈钢表面上制备了性能优异的纳米结构TiN薄膜.运用原子力显微镜和掠角入射X射线衍射仪对其结构与形貌进行了表征,利用纳米压痕仪测量了TiN薄膜的硬度和弹性模量.结果表明:TiN薄膜表面光滑,致密,无柱状晶; TiN晶粒的平均尺寸为50nm,薄膜硬度达50 GPa,是传统CVD和PVD技术沉积氮化钛的两倍多;XRD衍射试验表明,纳米TiN的衍射角都普遍向小角度移动,TiN晶粒沿(111)择优生长.

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在室温条件下制备高质量纳米结构TiN薄膜研究

张伟伟1,徐建伟1,刘伟民2,闫鹏勋1,吴志国1,张玉娟1

(1.兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;
2.中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,兰州,730000)

摘要:在室温条件下,利用磁过滤等离子体在单晶硅和不锈钢表面上制备了性能优异的纳米结构TiN薄膜.运用原子力显微镜和掠角入射X射线衍射仪对其结构与形貌进行了表征,利用纳米压痕仪测量了TiN薄膜的硬度和弹性模量.结果表明:TiN薄膜表面光滑,致密,无柱状晶; TiN晶粒的平均尺寸为50nm,薄膜硬度达50 GPa,是传统CVD和PVD技术沉积氮化钛的两倍多;XRD衍射试验表明,纳米TiN的衍射角都普遍向小角度移动,TiN晶粒沿(111)择优生长.

关键词:TiN; 磁过滤等离子体; 纳米薄膜;

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