MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究

来源期刊：功能材料2010年第7期

论文作者：陈小庆 孙利杰 邬小鹏 钟泽 傅竹西

文章页码：1271 - 2550

关键词：3C-SiC;SiC:Al;MOCVD;导电类型;

摘    要：用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型。用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量。Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型。继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高。