用第一性原理研究Ti掺杂β-Ga₂O₃的电子结构和光学性能（英文）

来源期刊：材料科学与工程学报2015年第4期

论文作者：孟德兰 闫金良 牛培江

文章页码：484 - 489

关键词：第一性原理;Ti掺杂β-Ga2O3;电子结构;光学性能;

摘    要：用GGA+U的方法研究了本征β-Ga2O3和Ti掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性能。晶格常数的计算值与实验值差别小于1%,本征β-Ga2O3的带隙计算值4.915eV,与实验值4.9eV一致。Ti替位Ga（1）位置和Ti替位Ga（2）位置的β-Ga2O3的价带最大值和导带最小值间隙分别为4.992eV和4.955eV,Ti掺杂引入的杂质带起到中间带作用,可以使电子从杂质带跃迁到导带和价带跃迁到杂质带。Ti掺杂β-Ga2O3中间带的存在使其成为潜在的宽光谱吸收太阳能电池材料。