三元缺陷化合物CuGa3Te5的热电性能
来源期刊:稀有金属材料与工程2014年第12期
论文作者:任伟 孟庆森 陈少平 孙政 崔教林
文章页码:3129 - 3132
关键词:热电性能;缺陷化合物;CuGa3Te5;
摘 要:采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物Cu Ga3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 e V。经热电性能测试分析,在717 K时Cu Ga3Te5的ZT值达到最大值0.3。
任伟1,2,孟庆森1,陈少平1,孙政1,崔教林2
1. 太原理工大学2. 宁波工程学院
摘 要:采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物Cu Ga3Te5,直接带隙宽度(Eg)约为1.0 e V。经热电性能测试分析,在717 K时Cu Ga3Te5的ZT值达到最大值0.3。
关键词:热电性能;缺陷化合物;CuGa3Te5;