ZnO/P-Si接触及其温度特性
来源期刊：功能材料2006年第6期
论文作者：段理 付竹西 马泽宇 刘磁辉 刘秉策
关键词：氧化锌; 异质结; 势垒; 温度特性;
摘 要：用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量.实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿.用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高.异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释.样品经Air～800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响.
段理1，付竹西1，马泽宇1，刘磁辉1，刘秉策2
(1.中国科技大学,物理系,安徽,合肥,230026;
2.合肥工业大学,理学院,安徽,合肥,230026)
摘要:用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量.实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿.用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高.异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释.样品经Air～800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响.
关键词:氧化锌; 异质结; 势垒; 温度特性;
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