非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究

卢佳¹，田桂¹，朱嘉琦¹，檀满林¹，耿达²

(1.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150080;
2.中国科学院,沈阳科学仪器研制中心有限公司,沈阳,110168)

摘要:以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅人阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅人阳电池.利用Lambda950紫外-可见光分光光度计表征薄膜的光学带隙,并测试电池开路电压、短路电流、填充因子以及转化效率等参数,再分析电池的光谱响应特性.实验表明,掺硼非晶金刚石薄膜的光学带隙(～2.0eV)比P型非晶硅更宽,以掺硼非晶金刚石薄膜用作非晶硅太阳电池的窗口层,能够改善电池的光谱响应特征,并提高转化效率达10%以上.

关键词:非晶金刚石薄膜; 非晶硅太阳电池; p型掺杂; 转化效率;

【全文内容正在添加中】