金属纳米晶的制备及其在MOS电容结构中的存储特性
来源期刊：功能材料与器件学报2009年第3期
论文作者：倪鹤南 宋志棠 吴良才 惠春
关键词：非挥发性存储器; 纳米晶; 金属纳米晶;
摘 要：优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.
倪鹤南1，宋志棠3，吴良才3，惠春2
(1.上海交通大学微纳科学技术研究院,上海,200050;
2.上海交通大学生命科学技术学院,上海,200030;
3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室,上海,200030)
摘要:优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能.
关键词:非挥发性存储器; 纳米晶; 金属纳米晶;
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