垂直排列ReS_2（1-x）Se_2x合金纳米片的控制合成及带隙调控

敖伟栋^1,2，刘妍²，马青山²，刘欢¹，周斌²，郑霄家²，于东麒¹，张文华²

1. 辽宁师范大学物理与电子技术学院2. 中国工程物理研究院化工材料研究所四川省新材料研究中心

摘 要：二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO₂/Si衬底上生长了垂直排列ReS₂纳米片材料,硒化处理后得到ReS_2（1-x）Se_2x合金纳米片,并研究了硒化温度（700、850和920℃）及硒化时间（0.5、1和1.5h）对ReS_2（1-x）Se_2x合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS_2（1-x）Se_2x样品中Se含量可以在x=0（纯ReS₂）到x=0.86之间调变,相应材料的带隙可从1.55eV（800nm）调变到1.28eV（969 nm）。SEM结果显示ReS_2（1-x）Se_2x纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响,硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构。上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS_2（1-x）Se_2x合金纳米片,该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值。

关键词：ReS2(1–x)Se2x;ReS2;硒化;垂直排列;带隙调控;