质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜
来源期刊：稀有金属2001年第6期
论文作者：廖梅勇 杨少延 王占国 陈诺夫 柴春林 刘志凯
关键词：双离子束; CeO2/Si薄膜; 生长;
摘 要：利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.
廖梅勇1，杨少延1，王占国1，陈诺夫1，柴春林1，刘志凯1
(1.中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室)
摘要:利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.
关键词:双离子束; CeO2/Si薄膜; 生长;
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