米托蒽醌在脉冲沉积金修饰电极上的电化学行为

来源期刊：分析试验室2019年第1期

论文作者：贾瑞虹 白慧云 郭珈玲 孟奎奎 贺艳斌

文章页码：52 - 55

关键词：米托蒽醌;脉冲沉积;金修饰电极;差分脉冲伏安法;

摘    要：采用脉冲电沉积法在裸玻碳电极上制得了金修饰电极,并用差分脉冲伏安法(DPV)研究了米托蒽醌(MTX)在该修饰电极上的电化学行为。当介质为0. 1 mol/L HCl时,伏安曲线出现了2个明显的氧化峰P1(峰电位为0. 64 V)和P2(峰电位为0. 72 V)。在最优实验条件下,M TX的峰电流(0. 72 V)在1. 0～50μmol/L的浓度范围内呈良好的线性关系,检出限为0. 21μmol/L。方法可用于米托蒽醌药物含量的测定。