应力补偿技术在InAs/GaAs量子点中的研究现状
来源期刊：材料导报2013年第5期
论文作者：赵沛坤 涂洁磊
文章页码：126 - 129
关键词：InAs量子点;应变补偿技术;太阳电池;
摘 要：通过在多层量子点体系中引入应变补偿层,改变量子点系统的应力场分布,可以控制生长过程中量子点的大小均匀性和密度,最终获得高质量、高密度的多层量子点体系,应用到量子点光电器件中,可改善器件的电学和光学性能。介绍了应变补偿层在量子点体系中作用的原理,常用的应变补偿材料体系,以及目前国内外对应变补偿技术的研究状况,最后提出了现存的问题和今后的发展方向。
赵沛坤，涂洁磊
云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,云南省农村能源工程重点实验室
摘 要：通过在多层量子点体系中引入应变补偿层,改变量子点系统的应力场分布,可以控制生长过程中量子点的大小均匀性和密度,最终获得高质量、高密度的多层量子点体系,应用到量子点光电器件中,可改善器件的电学和光学性能。介绍了应变补偿层在量子点体系中作用的原理,常用的应变补偿材料体系,以及目前国内外对应变补偿技术的研究状况,最后提出了现存的问题和今后的发展方向。
关键词：InAs量子点;应变补偿技术;太阳电池;
