Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：吴小鹏 顾豪爽 熊娟 胡宽
关键词：AlN薄膜; 射频磁控反应溅射; c轴择优取向; Mo电极; AlN thin films; RF-reactive magnetron sputtering; c-axis orientation; Mo electrode;
摘 要：采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长.氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N_2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜.经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备.
吴小鹏1，顾豪爽1，熊娟1，胡宽1
(1.湖北大学,武汉,湖北,430062)
摘要:采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长.氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N_2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜.经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备.
关键词:AlN薄膜; 射频磁控反应溅射; c轴择优取向; Mo电极; AlN thin films; RF-reactive magnetron sputtering; c-axis orientation; Mo electrode;
【全文内容正在添加中】
