Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构影响的第一性原理研究
来源期刊：功能材料2015年第10期
论文作者：李伟 冀圆圆 戴宪起 王天兴
文章页码：10058 - 10061
关键词：掺杂;第一性原理;WSe2;Cr,Mo;能带结构;
摘 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。
李伟1,2，冀圆圆1，戴宪起1，王天兴1
1. 河南师范大学物理与电子工程学院2. 河南城建学院数理学院
摘 要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和Mo掺杂对单层WSe2能带结构的影响。计算结果表明,Mo对单层WSe2的能带结构没有影响,而Cr则影响很大。随着掺杂浓度的增加,带隙宽度逐渐减小,能带由原来的直接带隙变为了间接带隙。Cr掺杂后所产生的应力是导致能带结构发生变化的直接原因。
关键词：掺杂;第一性原理;WSe2;Cr,Mo;能带结构;
