AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第3期
论文作者：夏冠群 李冰寒 周健 刘文超
关键词：异质结双极晶体管; AlGaInP/GaAs; 直流特性; 开启电压;
摘 要：制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.
夏冠群1，李冰寒1，周健1，刘文超1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050)
摘要:制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.
关键词:异质结双极晶体管; AlGaInP/GaAs; 直流特性; 开启电压;
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