GaAsFET的表面漏电
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第1期
论文作者：侯晓远 李效白 马农农
关键词：砷化镓场效应管; 击穿电压; 漏电; Na+沾污; 硫钝化;
摘 要：GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.
侯晓远1，李效白2，马农农3
(1.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433;
2.专用集成电路国家重点实验室,石家庄市,050051;
3.电子材料研究所,天津,300192)
摘要:GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.
关键词:砷化镓场效应管; 击穿电压; 漏电; Na+沾污; 硫钝化;
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