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硫普罗宁在汞膜电极上的伏安行为研究及应用

来源期刊:理化检验-化学分册2004年第2期

论文作者:李桂芝 刘永明

关键词:线性扫描伏安法; 硫普罗宁; 汞膜电极;

摘    要:对硫普罗宁在汞膜电极上的伏安行为进行了研究.在pH 2.87 Britton-Robinson 缓冲液中,硫普罗宁于-0.42V(vs.Ag/AgCl)处产生良好的阴极还原峰.当硫普罗宁浓度在2.0×10-7~2.0×10-6mol·L-1范围内时与线性扫描还原峰电流呈线性关系,据此对硫普罗宁片剂的含量进行了测定,取得了满意的结果.用线性扫描与循环伏安法探讨了该体系的伏安行为,结果表明,硫普罗宁在汞膜电极上的电化学还原机理为具有吸附性的不可逆过程.

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硫普罗宁在汞膜电极上的伏安行为研究及应用

李桂芝1,刘永明1

(1.烟台大学,分析中心,烟台,264005)

摘要:对硫普罗宁在汞膜电极上的伏安行为进行了研究.在pH 2.87 Britton-Robinson 缓冲液中,硫普罗宁于-0.42V(vs.Ag/AgCl)处产生良好的阴极还原峰.当硫普罗宁浓度在2.0×10-7~2.0×10-6mol·L-1范围内时与线性扫描还原峰电流呈线性关系,据此对硫普罗宁片剂的含量进行了测定,取得了满意的结果.用线性扫描与循环伏安法探讨了该体系的伏安行为,结果表明,硫普罗宁在汞膜电极上的电化学还原机理为具有吸附性的不可逆过程.

关键词:线性扫描伏安法; 硫普罗宁; 汞膜电极;

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