Nb掺杂SnO2电子特性与光学性能第一性原理研究
来源期刊：功能材料2019年第11期
论文作者：王贵 王立坤 蔡文豪 杨静凯 赵洪力
文章页码：11109 - 22234
关键词：二氧化锡;Nb掺杂;杂化泛函;电子特性;光学性能;
摘 要：使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO2（NTO）的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO2的直接带隙为3.80 eV,Nb掺杂使SnO2的直接带隙减小,但大于3.33 eV。受Nb 4d轨道的影响,导带底的电子有效质量先减小后增加,并且导带向价带方向移动增加了电子亲和力。对其光学性能进行研究得出Nb掺杂扩宽了SnO2的光学带隙,使红外光区的反射率增加。
王贵1，王立坤1，蔡文豪1，杨静凯2，赵洪力2,1
1. 燕山大学材料科学与工程学院2. 亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
摘 要：使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO2（NTO）的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO2的直接带隙为3.80 eV,Nb掺杂使SnO2的直接带隙减小,但大于3.33 eV。受Nb 4d轨道的影响,导带底的电子有效质量先减小后增加,并且导带向价带方向移动增加了电子亲和力。对其光学性能进行研究得出Nb掺杂扩宽了SnO2的光学带隙,使红外光区的反射率增加。
关键词：二氧化锡;Nb掺杂;杂化泛函;电子特性;光学性能;
