MOCVD化合物半导体材料及其应用
来源期刊:稀有金属1998年第3期
论文作者:彭瑞伍 胡金波
关键词:金属有机物化学气相沉积(MOCVD); MOCVD半导体材料; MOCVD半导体器件;
摘 要:总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展, 重点为MOCVD化学、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用. 为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议.
彭瑞伍1,胡金波1
(1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050)
摘要:总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展, 重点为MOCVD化学、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用. 为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议.
关键词:金属有机物化学气相沉积(MOCVD); MOCVD半导体材料; MOCVD半导体器件;
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