电感耦合等离子体原子发射光谱法测定太阳能级硅中硼

来源期刊：冶金分析2014年第10期

论文作者：孙东亚 何丽雯

文章页码：42 - 46

关键词：电感耦合等离子体原子发射光谱法;太阳能级硅;洁净室;硼;

摘    要：研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ICP-AES）测定太阳能级硅（SOG-Si）中硼的方法。试验发现,在110℃左右的温度下,用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂,试样在PFA烧杯中能较快溶解,且在溶样时添加0.3mL甘露醇,可有效抑制硼的损失。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体（MOS）级试剂溶解电子级硅（EG-Si）,可控制样品空白中硼元素含量小于1μg/L,并能抑制部分基体效应。在仪器最佳工作状态下,选取B 182.641nm作为分析谱线,方法的检出限为18.10μg/L,回收率在92%¹08%之间,相对标准偏差（RSD,n=11）不大于7.2%。样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）法及辉光放电质谱（GDMS）法进行了比对,结果吻合。